●晶核成長(zhǎng)，形成晶體。

這3個(gè)步驟中有一個(gè)遭到破壞，結(jié)垢過程即被減緩。阻垢劑的作用就是有效阻止這些步驟中的一個(gè)或幾個(gè)，以達(dá)到阻垢目的。阻垢劑干擾晶體生長(zhǎng)的機(jī)理有如下幾種說(shuō)法：

1．螯合增溶作用：螯合增溶作用是指阻垢劑與水中Ca2＋、Mg2＋、Sr2＋、Ba2＋等高價(jià)金屬離子絡(luò)合成穩(wěn)定的水溶性螯合物，使水中游離態(tài)鈣、鎂離子的濃度相應(yīng)降低，這樣就好像使CaCO3等物質(zhì)的溶解度增大了，本來(lái)會(huì)析出溶液的CaCO3等物質(zhì)實(shí)際上沒有形成沉淀。所謂閾限效應(yīng)阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢劑，就能穩(wěn)定溶液中大量的結(jié)垢離子，它們之間不存在嚴(yán)格的化學(xué)計(jì)量關(guān)系，當(dāng)阻垢劑的量增至過大時(shí)，其穩(wěn)定阻垢作用并無(wú)明顯改進(jìn)。

2．晶格畸變作用：晶體正常形成的過程是微粒子（離子、原子或分子）根據(jù)特定的晶格方式進(jìn)行有規(guī)則的排列，從而形成外形規(guī)則、熔點(diǎn)固定、致密堅(jiān)固的物質(zhì)結(jié)構(gòu)。所謂晶格畸變是指在晶體生長(zhǎng)的過程中，常常會(huì)由于晶體外界的一些原因，而使得晶體存在空位、錯(cuò)位等缺陷或形成鑲嵌構(gòu)造等畸變，其結(jié)果使同一晶體的各個(gè)晶面發(fā)育不等。晶體中這種局部組分的差異會(huì)導(dǎo)致晶體內(nèi)部的應(yīng)力，晶體本身與鑲嵌物質(zhì)膨脹系數(shù)的不同也會(huì)導(dǎo)致應(yīng)力。這些應(yīng)力使晶體不穩(wěn)定。當(dāng)環(huán)境發(fā)生某些變化時(shí)，大晶體便會(huì)碎裂成小晶體。

阻垢劑分子由于吸附在位于晶體活性生長(zhǎng)點(diǎn)的晶格點(diǎn)陣上，使晶體不能按照晶格排列正常生長(zhǎng)，使晶體發(fā)生畸變，使晶體的內(nèi)部應(yīng)力增大導(dǎo)致晶體破裂，從而防止微晶沉積成垢，達(dá)到阻垢目的。